Que signifient les lettres sur mon modèle de mémoire vive ?

Comprendre la DDR3

Bien qu’elle soit aujourd’hui remplacée par la DDR4 dans de nombreux systèmes récents, la DDR3 reste très populaire dans le monde du PC reconditionné et a commencé à apparaître dans les systèmes fin 2007. Par rapport à la mémoire DDR2, la mémoire DDR3 consomme 30% d’énergie en moins avec une tension d’alimentation typique de seulement 1,5V. La DDR3 peut également transférer des données à des taux allant jusqu’à 12,8 Go par seconde.

Les modules DDR3 à basse tension, connus sous le nom de DDR3L et DDR3U, sont également de plus en plus populaires. Le JEDEC a introduit deux normes de basse tension. La norme DDR3L est de 1,35V et porte le label ”PC3L” pour ses modules. Les exemples incluent DDR3L-800, DDR3L-1066, DDR3L-1333, et DDR3L-1600. La norme DDR3U est de 1,25V et porte l’étiquette ”PC3U” pour ses modules.

Comme la DDR et la DDR2 avant elles, les modules DIMM DDR3 sont identifiés par leur capacité de transfert maximale (souvent appelée bande passante). Les normes JEDEC pour la mémoire DDR3 sont énumérées ci-dessous :

Standard name  Memory clock(MHz) Cycle time(ns) I/O bus clock(MHz) Data rate(MT/s) Module name  Peak transfer rate(MB/s) Timings(CL-tRCD-tRP) CAS latency(ns)
DDR3-800D
DDR3-800E
100 10 400 800 PC3-6400 6400 5-5-5
6-6-6
12
15
DDR3-1066E
DDR3-1066F
DDR3-1066G
133⅓ 7 533⅓ 1066⅔ PC3-8500 8533⅓ 6-6-6
7-7-7
8-8-8
11
13
15
DDR3-1333F*
DDR3-1333G
DDR3-1333H
DDR3-1333J*
166⅔ 6 666⅔ 1333⅓ PC3-10600 10666⅔ 7-7-7
8-8-8
9-9-9
10-10-10
10
12
13
15
DDR3-1600G*
DDR3-1600H
DDR3-1600J
DDR3-1600K
200 5 800 1600 PC3-12800 12800 8-8-8
9-9-9
10-10-10
11-11-11
12-12-12
10
11
12
13
DDR3-1866J*
DDR3-1866K
DDR3-1866L
DDR3-1866M*
233⅓ 4 933⅓ 1866⅔ PC3-14900 14933⅓ 10-10-10
11-11-11
12-12-12
13-13-13
10
11
12
13
DDR3-2133K*
DDR3-2133L
DDR3-2133M
DDR3-2133N*
266⅔ 3 1066⅔ 2133⅓ PC3-17000 17066⅔ 11-11-11
12-12-12
13-13-13
14-14-14
10
11
12
13

En plus des variantes de bande passante et de capacité, les modules DDR3 peuvent implémenter en option :

  • La lettre A pour la fonction ECC, qui est une voie supplémentaire d’octets de données utilisée pour corriger les erreurs mineures et détecter les erreurs majeures pour une meilleure fiabilité. Les modules avec ECC sont identifiés par un ECC supplémentaire dans leur désignation. Un PC3-10600 ECC ou PC3-10600E est un module PC3-10600 avec ECC.
  • La lettre R pour Registered “buffered”, ce qui améliore l’intégrité des signaux (et donc potentiellement les fréquences d’horloge et la capacité des emplacements physiques) en mettant les signaux en mémoire tampon électrique, au prix d’une horloge supplémentaire de latence accrue. Ces modules sont identifiés par un R supplémentaire dans leur désignation, par exemple PC3-10600R. En général, les modules portant cette désignation sont en fait enregistrés ECC, mais le “E” de “ECC” n’est pas toujours indiqué. Alors que les modules non enregistrés (alias RAM sans tampon) peuvent être identifiés par un U supplémentaire dans leur désignation, par exemple PC3-10600U.
  • La lettre F ou FB pour Être des modules entièrement tamponnés et n’ont pas la même position d’encoche que les autres classes. Les modules entièrement tamponnés ne peuvent pas être utilisés avec des cartes mères conçues pour des modules enregistrés, et la position différente de l’encoche empêche physiquement leur insertion.
  • Les modules à charge réduite, qui sont désignés par LR et sont similaires aux mémoires enregistrées/tamponnées, en ce sens que les modules LRDIMM mettent en mémoire tampon les lignes de contrôle et de données tout en conservant la nature parallèle de tous les signaux. En tant que telle, la mémoire LRDIMM offre de grandes capacités de mémoire maximales globales, tout en résolvant certains des problèmes de performance et de consommation d’énergie de la mémoire FB induits par la conversion nécessaire entre les formes de signaux série et parallèle. Les types de mémoire FBDIMM (entièrement tamponnée) et LRDIMM (à charge réduite) sont conçus principalement pour contrôler la quantité de courant électrique circulant vers et depuis les puces mémoire à un moment donné. Elles ne sont pas compatibles avec la mémoire enregistrée/tampon, et les cartes mères qui les exigent n’acceptent généralement pas d’autres types de mémoire.

Le sigle « DDR3 » ou « PC3 » définissant la mémoire DDR3 est fréquemment complété par une lettre, informant sur la tension et le niveau de consommation électrique. Un module demandant une tension plus élevée ne fonctionnera pas sur une carte mère ne délivrant qu’une tension plus basse, cependant, l’inverse est possible :

  • DDR3 ou PC3  : 1,5 volt – N’opère qu’à cette tension. Ne fonctionnera pas sur une alimentation moindre.
  • DDR3L ou PC3L : « Low power » 1,35 volt – Opère à 1,35 volt, mais compatible avec une alimentation 1,5 volt.
  • DDR3U ou PC3U : « Ultra-low power » 1,25 volt – Opère à 1,25 volt, mais compatible avec les alimentations 1,35 ou 1,5 volt – Parfois ces modules « U » ne respectent pas le standard JEDEC[réf. souhaitée].

La définition de la bande passante est généralement complétée d’une lettre identifiant le type de module. En l’absence de cette lettre, il s’agit de mémoire « unbuffered » :

  • U : Unbuffered (240 pins DIMM)
  • R : Registered (240 pins DIMM)
  • V : VLP registered (240 pins DIMM)
  • L : LR (240 pins DIMM)
  • S : Unbuffered (204 pins SO-DIMM)
  • A : ECC (204 pins SO-DIMM)
  • E : VLP ECC (240 pins UDIMM)
  • M : ULP (244 pins mini UDIMM)

Que sont les timings de la mémoire ?

Lorsque le sujet des performances de la mémoire est abordé, la plupart des gens pensent généralement à la vitesse du module de mémoire. La vitesse du module est une mesure de la capacité à transférer des données, comme : DDR2 800MHz, DDR3 1600MHz, et DDR4 2400MHz (ou MT/s). Les timings, quant à eux, déterminent la vitesse à laquelle votre mémoire peut répondre aux demandes d’exécution d’actions.

Si l’on considère la mémoire comme une voiture de course, la vitesse du module (MH/z) serait comme la puissance brute du moteur, et les timings seraient le conducteur de la voiture. Au fur et à mesure que le conducteur de la voiture s’améliore dans les virages et réagit aux obstacles sur le circuit, la voiture devient plus rapide, à tel point qu’une voiture moins puissante peut surpasser une voiture plus puissante, si le conducteur (les temporisations) est plus rapide dans la voiture moins puissante que dans la voiture plus puissante.

Les timings sont le plus souvent décomposés en quatre valeurs : CAS Latency (CL), Row Column Delay (tRCD), Row Precharge Time (tRP), et Row Active Time (tRAS). Si vous avez remarqué que le tableau ci-dessus ne mentionne pas le tRAS pour la DDR4, c’est parce que cette valeur a été fusionnée avec un autre chiffre dans la nouvelle technologie de mémoire, et qu’elle n’est donc plus pertinente.

CL

tRCD

tRP

tRAS

C’est le temps qu’il faut à un module de mémoire pour que les données soient prêtes à la demande du contrôleur de mémoire. Le temps qu’il faut pour lire la mémoire après que la mémoire soit prête Le temps qu’il faut à la mémoire pour avoir une nouvelle rangée prête à utiliser des données Temps minimum requis pour qu’une rangée soit active afin de garantir l’accès aux données.

Le timing le plus largement reconnu pour la mémoire est la latence CAS. Cette valeur est généralement synonyme de performance. Cependant, elle peut parfois être trompeuse. La plupart des gens pensent que plus la latence CAS est faible, mieux c’est, car cette valeur fait référence à la capacité de votre mémoire à répondre rapidement aux nouvelles informations. Ce n’est pas tout à fait exact, car les nouveaux types de mémoire ont généralement des temps de latence CAS beaucoup plus élevés que leurs homologues plus anciens.

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